碳化矽器件是由第三代半導體材料SiC制成的寬禁帶器件，具有較高的擊穿電壓，較低的導通阻抗。銀河微電推出650V和1200V碳化矽肖特基二極管，爲工程師設計各種應用的功率轉換 電路提供了理想的解決方案。

産品特點：

1. 具有比矽更優異的開關特性和更高的可靠性。
2. 低傳導損耗，獨立于溫度的零反向恢複 。
3. Tj高達175°C，高浪湧電流能力 。

應用範圍：

5G基建，新能源汽車充電樁及軌道交通等